Экономичная мобильная память DDR2 от Hynix обладает плотностью в 2 Гбит
2010.01.14, 13:02
Менее девяти месяцев прошло с тех пор, как компания Hynix Semiconductor представила чип памяти, изготовленный по 54 нм технологии и обладающий плотностью в 1 Гбит. А теперь этот южнокорейский производитель объявил о завершении разработки первой в мире энергоэффективной памяти DDR2 DRAM, чья плотность достигает 2 Гбит.
Новый чип памяти изготовлен по нормам более “тонкого” техпроцесса 40 нм класса и обладает показателем рабочего напряжения в 1,2 вольта. При этом ширина полосы пропускания у этой памяти составляет 4,26 Гб/с в комбинации с 32-битной шиной, эффективная частота равняется 1066 МГц, а уровень энергопотребления новой памяти, по данным Hynix, на 50 процентов ниже, чем в продуктах предыдущего поколения.
Все это делает новую память DDR2 DRAM с плотностью 2 Гбит вполне пригодной для использования в мобильной электронике, включая смартфоны и смартбуки, а также планшетные компьютеры. Согласно производителю, массовое производство новой энергоэффективной памяти начнется уже в первой половине 2010 года.
Источник: Tcmagazine