[RW011]

Twin BiCS FLASH — новая технология трехмерной флэш-памяти

11 декабря 2019 г. на Международном совещании по электронным устройствам (IEDM) IEEE корпорация TOKYO-Kioxia анонсировала технологию трехмерной флэш-памяти — Twin BiCS FLASH.
Подробнее:

1:

Заявляется о разработке первой в мире трехмерной (3D) полукруглой ячейки флеш-памяти с разделенным затвором, в которой используется технология плавающего затвора.
Это делает новую ячейку многообещающим кандидатом на повышение плотности при меньшем числе слоев за счет увеличения числа распознаваемых уровней (более, чем QLC).

В последние годы, когда количество слоев ячеек превышает 100, управление компромиссами между контролем профиля травления, однородностью размеров и производительностью становится все более сложной задачей.

Чтобы преодолеть эту проблему, Kioxia разработала новую конструкцию полукруглой ячейки, разделив электрод затвора в обычной круглой ячейке, чтобы уменьшить размер ячейки по сравнению с обычной круглой ячейкой, обеспечивая память с более высокой плотностью при меньшем количестве слоев ячейки.

В дальнейшем усилия Kioxia по исследованиям и разработкам, направленные на инновации во флэш-памяти, будут включать продолжение разработки Twin BiCS FLASH и поиск его практического применения