[RW011]

176-слойная флэш-память SK hynix 4D NAND
Корейская компания SK hynix Inc. объявила о завершении разработки 176-слойной флэш-памяти 4D NAND плотностью 512 Гбит.
Разработчики контроллеров уже получили образцы 512-гигабитных чипов.
Подробнее:

1:

Микросхемы TLC нового поколения сочетают технологию затвора с ловушкой заряда и компоновку с размещением периферийных цепей под массивом ячеек памяти.
Особенностью 4D NAND является интеграция под слоями с ячейками памяти слоя с периферийными цепями.

Время доступа при чтении удалось сократить на 20%, применив новую технологию выбора массива ячеек, а скорость передачи данных — увеличить на 33%, до 1,6 Гбит/с.

Также такая память обеспечивает самый высокий выход микросхем с одной кремниевой пластины, повышая удельную эффективность производства на 35% по сравнению с памятью предыдущего поколения.
Себестоимость производства памяти тоже снижается, что обеспечивает корейской компании преимущество по сравнению с конкурентами.

К поставкам новой памяти SK hynix планирует приступить в середине 2021 года, начав с памяти для мобильных устройств, в случае которой прирост скорости чтения достигает 70%, а скорости записи — 35%.
Позже начнутся поставки микросхем для потребительских и корпоративных SSD.

Компания также планирует последовательно повышать свою конкурентоспособность в сфере флэш-памяти NAND за счет разработки продуктов емкостью 1 Тб с удвоенной плотностью на основе 176-слойной 4D NAND.