[RW011]

SSD Samsung с 176-слойной флэш-памятью V-NAND
Компания Samsung объявила, что во второй половине 2021 года покажет первый SSD на основе флэш-памяти V-NAND седьмого поколения.
Подробнее:

1:

Новая технология позволяет создавать модули из 176 слоев без увеличения высоты самого модуля, что на 76 слоев больше, чем в технологии V-NAND 6-го поколения, так как в модулях 7-го поколения ячейки на 35% меньше по сравнению с шестым.

По утверждению разработчиков, новый твердотельный накопитель «оптимизирован для огромных многозадачных рабочих нагрузок», например, для одновременного 3D-моделирования и редактирования видео.

Помимо потребительского рынка Samsung планирует вывести SSD на базе V-NAND седьмого поколения и в серверный сегмент, в том числе предложить модели для ЦОД (центров обработки данных).

Седьмое поколение флэш-памяти будет соответствовать требованиям не только интерфейса PCIe 4.0, но и PCIe 5.0 благодаря пропускной способности системы ввода-вывода в 2 Гбит/с.

Кроме того, у компании уже есть рабочий чип V-NAND восьмого поколения с более чем 200 слоями ячеек.

Технические характеристики нового твердотельного накопителя компания Samsung пока не раскрывает.

Samsung заявляет, что в будущем планирует представить чипы V-NAND с более чем 1000 слоями.

Есть несколько проблем, с которыми Samsung и другие производители NAND сталкиваются в своем стремлении увеличить количество слоев.
Чтобы уменьшить размер ячеек NAND, а слои сделать тоньше, необходимо использовать новые материалы для надежного хранения зарядов, и травление сотен слоев также является сложной задачей.

Ранее компания SK Hynix заявила, что планирует использовать 3D NAND с более чем 600 слоями, поэтому компания Samsung не одинока со своими большими планами.